Perfil del grupo: Dispositivos Semiconductores
Ficha técnica
| Datos de contacto | |
| Nombre de grupo: | Dispositivos Semiconductores |
| Universidad: | Universidad de Salamanca |
| Apellido: | GONZÁLEZ SÁNCHEZ |
| Nombre: | TOMAS |
| Centro o instituto: | Facultad de Ciencias |
| Departamento(s): | Física Aplicada |
| Dirección: | Plaza de la Merced s/n |
| Teléfono: | 923 29 45 00 Ext. 1304 |
| Fax: | 923294584 |
| Dirección web: | www.usal.es/gelec |
| Área: | Electrónica |
| Investigación | |
| Investigador 1: | Gutiérrez Conde, Pedro Manuel |
| Investigador 2: | Pérez Santos, Susana |
| Investigador 3: | González Sánchez, Tomás |
| Investigador 4: | Martín Martínez, María Jesús |
| Investigador 5: | Mateos López, Javier |
| Investigador 6: | Rengel Estéves, Raúl |
| Investigador 7: | García Vasallo, Beatriz |
| Investigador 8: | Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio |
| Investigador 9: | Íñiguez de la Torre Mulas, Ana |
| Investigador 10: | García Sánchez, Sergio |
| Línea de Investigación 1: | Diseño y simulación de HEMTs submicrométricos para aplicaciones de alta frecuencia y bajo ruido. Diseño y simulación de estructuras balísticas para aplicaciones en el rango de THz: generación, detección y procesado. |
| Línea de investigación 2: | Análisis de comportamiento DC, RF y de ruido de BJTs y HBTs. Análisis de comportamiento DC, RF y de ruido de "bulk", SOI y SB-MOSFETs |
| Línea de investigación 3: | Influencia de la ionización por impacto en la respuesta en frecuencia y el ruido de HEMTs y MOSFETs. Efecto kink |
| Línea de investigación 4: | Ruido en materiales y dispositivos semiconductores operando en condiciones no-lineales de gran señal. Análisis de fuentes de ruido en semiconductores. Supresión y aumento de ruido shot en estructuras mesoscópicas |
| Línea de investigación 5: | Caracterización de dispositivos semiconductores en DC y RF hasta 44 GHz |
| Oferta tecnológica: | Diseño y simulación de dispositivos electrónicos submicrométricos. |
| Estado de desarrollo: | Desarrollado pero no comercializado |
| Derechos de propiedad intelectual: | Otros: Publicaciones científicas |
| Aplicabilidad de la tecnología: | Nanoelectrónica |
| Empresas y mercados de interés: | Fabricación de circuitos integrados |
| Diferenciación en el mercado: | No existen otros proveedores |
| Ventajas sobre otras tecnologías similares en el mercado: | Investigación más básica, mayor conocimiento de los procesos |
| Fecha de validez de la oferta: | Indefinida |
| Oferta tecnológica: | Caracterización de dispositivos semiconductores: medidas DC, pulsadas hasta 30 ns y AC hasta 44 GHz |
| Estado de desarrollo: | Desarrollado pero no comercializado |
| Derechos de propiedad intelectual: | Otros: Publicaciones científicas |
| Aplicabilidad de la tecnología: | Nanoelectrónica, Microelectrónica y Comunicaciones |
| Empresas y mercados de interés: | Fabricación de circuitos integrados; Comunicaciones |
| Diferenciación en el mercado: | No existen otros proveedores |
| Ventajas sobre otras tecnologías similares en el mercado: | Caracterización pulsada ultrarrápida (hasta 30 ns) y en RF hasta 44 GHz |
| Fecha de validez de la oferta: | Indefinida |
| Otros | |
| Servicios Ofertados: | Diseño y simulación de dispositivos electrónicos |
| Formación ofertada: | Sobre todo lo anterior |
| Códigos UNESCO: | 330708 |
| Palabras clave: | Monte Carlo, ruido electrónico, dispositivos submicrométricos, caracterización eléctrica |
| Información adicional: | Colaboraciones en curso con grupos de investigación de Francia, Bélgica, Inglaterra, Suecia y EEUU |
